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BIDW30N60T by bourns
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Bourns Distributeur agréé

BIDW30N60T

IGBT Discrete 600V - 30A - TO-247 - -55°C to +150°C ...

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Conforme RoHS
TUBE Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

BIDW30N60T is an N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) that combines MOS gate and bipolar transistor technology for high voltage and high current applications. It features advanced trench-gate field-stop technology providing low collector-emitter saturation voltage (VCE(sat) typ. 1.65 V at 30 A) and reduced switching losses. The device offers a collector-emitter voltage rating of 600 V, continuous collector current of 30 A at 100°C, and total power dissipation of 230 W. With fast switching characteristics including turn-on delay time of 30 ns and turn-off delay time of 67 ns, it is well-suited for switch-mode power supplies (SMPS), uninterruptible power sources (UPS), power factor correction (PFC), and induction heating applications.

Mots-clés de recherche: BIDW30N60T

SPÉCIFICATIONS

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Produits trouvés : 0
fournisseur:
Bourns
Référence:
BIDW30N60T
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
Yes
HTS:
8541290095
COO:
CN
ECCN:
EAR99
Conditionnement standard du fournisseur: Ces informations sont fournies aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité d
600
Type de boîtier:
TUBE

EN STOCK: 2 199

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Quantité minimale de commande: 56

DÉLAI DE L'USINE 16 Semaines

Prix (USD)

QTÉ
Prix unitaire
56
$3.07
100
$2.49
250
$2.32
600
$2.25
1 200
$2.15
3 000
$2.10
5 400
$2.05
7 800 +
$2.04
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