help desk software
FDB3632 by onsemi
onsemi Revendeur agréé

FDB3632

The FDB3632 is an N-Channel PowerTrench® MOSFET rated for 100 V drain-to-source voltage, 80 A continuous drain current, and 9 mΩ maximum on-resistance. ...

Voir la fiche technique Interroger la fiche technique
Non-Compliant
Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The FDB3632 is a 100 V N-Channel PowerTrench® MOSFET designed for high-power switching applications. It features a low on-resistance of 7.5 mΩ (typical) at a 10V gate voltage and a total gate charge of 84 nC, enabling efficient operation. This device also offers a low Miller charge, a low Qrr body diode, and is capable of withstanding Unclamped Inductive Switching (UIS) pulses. Its characteristics make it well-suited for applications such as synchronous rectification, motor drives, uninterruptible power supplies, and micro solar inverters.

Mots-clés de recherche: FDB3632

SPÉCIFICATIONS

Attribut du produit
Valeur de l'attribut
Sélectionner un attribut
Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
FDB3632
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
US
ECCN:
EAR99
Conditionnement standard du fournisseur: Ces informations sont fournies aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité d
800

EN STOCK: 0

sur commande: 5 600   Peut expédier 12/23/26 

Quantité minimale de commande: 25

DÉLAI DE L'USINE 75 Semaines

Prix (USD)

QTÉ
Prix unitaire
25
$3.18
100
$1.56
250
$1.52
800
$1.49
1 600
$1.45
3 200
$1.44
5 600
$1.43
8 000 +
$1.42
Emballage standard du fournisseur
Connectez-vous pour obtenir des prix spéciaux Cliquez pour demander un devis Demande d'alignement de prix

Outils/Modèles 3D

ressources

Modifications du produit