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FDMS86200 by onsemi
onsemi Revendeur agréé

FDMS86200

The FDMS86200 is a 150V N-Channel PowerTrench® MOSFET featuring Shielded Gate technology for high-efficiency applications. ...

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Non-Compliant
REEL Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The FDMS86200 is an N-Channel MOSFET produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This device is optimized for low on-state resistance and superior switching performance, featuring a maximum rDS(on) of 18 mΩ at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum drain-to-source voltage rating of 150V and can handle a continuous drain current of up to 35A at a case temperature of 25°C. The combination of an advanced package and silicon results in high efficiency, making it well-suited for DC-DC conversion applications.

Mots-clés de recherche: FDMS86200

SPÉCIFICATIONS

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Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
FDMS86200
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
KR
ECCN:
EAR99
Emballage en bobine: Ces informations sont destinées aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité de conditionnement standard du fabricant. Les quantités minimales et les multiples de commande requis sont indiqués avec le prix et la disponibilité.
3000
Type de boîtier:
REEL

EN STOCK: 3 340

Peut être expédié immédiatement

sur commande: 6 000   Peut expédier 1/5/28 

Quantité minimale de commande: 25

DÉLAI DE L'USINE 77 Semaines

Prix (CAD)

QTÉ
Prix unitaire
25
$4.21
100
$2.57
250
$2.56
500
$2.04
1 000
$1.97
3 000
$1.92
6 000
$1.91
9 000 +
$1.89

Outils/Modèles 3D

Modifications du produit