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FDN358P by onsemi
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FDN358P

The FDN358P is a single P-channel, logic level PowerTrench® MOSFET designed for low on-state resistance and superior switching performance. ...

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Conforme RoHS
REEL Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The FDN358P is a single P-channel, logic level MOSFET produced using an advanced PowerTrench process. It features a drain-source voltage of -30V and a continuous drain current of -1.5A. This device is tailored to minimize on-state resistance, with an RDS(ON) of 125 mΩ at a gate-source voltage of -10V and 200 mΩ at -4.5V. It also maintains a low typical gate charge of 4 nC for superior switching performance, all within a SuperSOT-3 package. The FDN358P is well-suited for portable electronics applications such as load switching, power management, battery charging circuits, and DC/DC conversion.

Mots-clés de recherche: FDN358P

SPÉCIFICATIONS

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Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
FDN358P
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
Yes
HTS:
8541210095
COO:
KR
ECCN:
EAR99
Emballage en bobine: Ces informations sont destinées aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité de conditionnement standard du fabricant. Les quantités minimales et les multiples de commande requis sont indiqués avec le prix et la disponibilité.
3000
Type de boîtier:
REEL

EN STOCK: 22 550

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Quantité minimale de commande: 250

DÉLAI DE L'USINE 45 Semaines

Prix (CAD)

QTÉ
Prix unitaire
250
$0.3319
1 000
$0.2788
3 000
$0.2706
6 000
$0.2510
9 000
$0.2504
27 000
$0.2497
51 000
$0.2491
102 000 +
$0.2485

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