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FDT86113LZ by onsemi
onsemi Revendeur agréé

FDT86113LZ

The FDT86113LZ is an N-Channel PowerTrench® MOSFET rated for 100V drain-to-source voltage and 3.3A continuous drain current. ...

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Non-Compliant
REEL Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The FDT86113LZ is an N-Channel logic-level MOSFET produced using an advanced PowerTrench® process to minimize on-state resistance while maintaining superior switching performance. This device features a maximum on-resistance (rDS(on)) of 100 mΩ at a VGS of 10V and is rated for a drain-to-source voltage of 100V with a continuous drain current of 3.3A. It incorporates a Gate-to-Source zener diode for enhanced ESD protection and is 100% UIL tested. Housed in a surface-mount SOT-223 package, this MOSFET is optimized for high power and current handling, making it ideal for DC-DC switching applications.

Mots-clés de recherche: FDT86113LZ

SPÉCIFICATIONS

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Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
FDT86113LZ
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
KR
ECCN:
EAR99
Emballage en bobine: Ces informations sont destinées aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité de conditionnement standard du fabricant. Les quantités minimales et les multiples de commande requis sont indiqués avec le prix et la disponibilité.
4000
Type de boîtier:
REEL

EN STOCK: 25 945

Peut être expédié immédiatement

Quantité minimale de commande: 50

DÉLAI DE L'USINE 64 Semaines

Prix (CAD)

QTÉ
Prix unitaire
50
$1.4540
500
$0.8642
1 000
$0.8010
4 000
$0.6612
8 000
$0.6595
12 000
$0.6580
16 000
$0.6562
28 000 +
$0.6547

Outils/Modèles 3D

Modifications du produit