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FQB12P20TM by onsemi
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FQB12P20TM

The FQB12P20TM is a -200V P-Channel enhancement mode MOSFET designed for high-efficiency switching applications. ...

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Non-Compliant
Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The FQB12P20TM is a P-Channel enhancement mode power MOSFET produced using a proprietary planar stripe, DMOS technology. It is characterized by a drain-source voltage of -200V, a continuous drain current of -11.5A, and a low on-state resistance of 0.47Ω at a -10V gate-source voltage. This device offers superior switching performance with a low typical gate charge of 31 nC and a low reverse transfer capacitance of 30 pF. It is 100% avalanche tested and features improved dv/dt capability for robust operation. These characteristics make the FQB12P20TM well-suited for high-efficiency switching DC/DC converters.

Mots-clés de recherche: FQB12P20TM

SPÉCIFICATIONS

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Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
FQB12P20TM
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
CZ
ECCN:
EAR99
Conditionnement standard du fournisseur: Ces informations sont fournies aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité d
800

EN STOCK: 1 890

Peut être expédié immédiatement

Quantité minimale de commande: 25

DÉLAI DE L'USINE 11 Semaines

Prix (USD)

QTÉ
Prix unitaire
25
$1.590
250
$1.015
800
$0.985
1 600
$0.914
3 200
$0.912
5 600
$0.909
8 000
$0.906
10 400 +
$0.904

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