MJD112-1G

Name: MJD112-1G
Brand: Onsemi
SKU: 12090980
Price: 48.71 USD
Availability: InStock

The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications. ...

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DESCRIPTION

The MJD112-1G is an NPN silicon Darlington power transistor intended for general-purpose power and switching tasks. This device is rated for a collector-emitter voltage of 100 V and a continuous collector current of 2 A, with a peak current rating of 4 A. It features a high DC current gain and can dissipate up to 20 W at a case temperature of 25Â°C. Housed in a DPAK-3 package with straight leads, it is suitable for use as an output or driver stage in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.

Points forts du produit:

Applications potentielles:

Mots-clés de recherche: MJD1121G

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Produits trouvés : 0

fournisseur:

onsemi

Référence:

MJD112-1G

Unité de mesure:

Par Each

RoHS:

HTS:

8541290095

COO:

ECCN:

EAR99

Conditionnement standard du fournisseur: Ces informations sont fournies aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité d

Dimension:

6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm

Famille:

MJD112

Tension collecteur-émetteur maximale:

100 V

Tension de saturation base-émetteur maximale:

4@40mA@4A V

Tension collecteur-base maximale:

100 V

Tension de saturation collecteur-émetteur maximale:

2@8mA@2A,3@40mA@4A V

EN STOCK: 42 150

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