help desk software
MJD127T4G by onsemi
Image non contractuelle - consultez les spécifications du fabricant
onsemi Revendeur agréé

MJD127T4G

8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

Voir la fiche technique Interroger la fiche technique
Non-Compliant
REEL Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

Mots-clés de recherche: MJD127T4G

SPÉCIFICATIONS

Attribut du produit
Valeur de l'attribut
Sélectionner un attribut
Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
MJD127T4G
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
MY
ECCN:
EAR99
Emballage en bobine: Ces informations sont destinées aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité de conditionnement standard du fabricant. Les quantités minimales et les multiples de commande requis sont indiqués avec le prix et la disponibilité.
2500
Type de boîtier:
REEL
Tension collecteur-émetteur maximale:
100 V
Tension collecteur-base maximale:
100 V
Famille:
MJD127
Tension de saturation base-émetteur maximale:
4.5@80mA@8A V
Dimension:
6.73(Max) x 6.22(Max) x 2.38(Max) mm
Tension de saturation collecteur-émetteur maximale:
2@16mA@4A,4@80mA@8A V

EN STOCK: 1 140

Peut être expédié immédiatement

sur commande: 5 000   Peut expédier 1/1/27 

Quantité minimale de commande: 100

DÉLAI DE L'USINE 25 Semaines

Prix (CAD)

QTÉ
Prix unitaire
100
$0.8303
500
$0.5378
1 000
$0.5270
2 500
$0.5169
5 000
$0.5155
7 500
$0.5142
10 000
$0.5130
15 000 +
$0.5117

Outils/Modèles 3D