help desk software
NTGD4167CT1G by onsemi
onsemi Revendeur agréé

NTGD4167CT1G

A complementary Power MOSFET featuring both an N-Channel and a P-Channel device with a 30V drain-source voltage rating in a dual TSOP-6 package. ...

Voir la fiche technique Interroger la fiche technique
Conforme RoHS
REEL Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The NTGD4167CT1G is a complementary Power MOSFET that integrates both an N-Channel and a P-Channel transistor into a single, compact 3x3 mm TSOP-6 package. The N-Channel component features a maximum on-resistance (RDS(on)) of 90 mΩ at a 4.5V gate voltage, while the P-Channel offers an RDS(on) of 170 mΩ at -4.5V. This device utilizes leading-edge trench technology for low on-resistance and has reduced gate charge to improve switching response. With independently connected devices, it provides significant design flexibility for applications such as DC-DC conversion circuits and load/power switching with level shifting.

Mots-clés de recherche: NTGD4167CT1G

SPÉCIFICATIONS

Attribut du produit
Valeur de l'attribut
Sélectionner un attribut
Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
NTGD4167CT1G
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
Yes
HTS:
8541290095
COO:
TW
ECCN:
EAR99
Emballage en bobine: Ces informations sont destinées aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité de conditionnement standard du fabricant. Les quantités minimales et les multiples de commande requis sont indiqués avec le prix et la disponibilité.
3000
Type de boîtier:
REEL

EN STOCK: 1 183

Peut être expédié immédiatement

sur commande: 6 000   Peut expédier 5/12/27 

Quantité minimale de commande: 250

DÉLAI DE L'USINE 45 Semaines

Prix (CAD)

QTÉ
Prix unitaire
250
$0.5661
1 000
$0.5042
3 000
$0.4028
6 000
$0.4018
9 000
$0.4007
27 000
$0.3998
51 000
$0.3987
102 000 +
$0.3978

Outils/Modèles 3D