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NTGD4167CT1G

Name: NTGD4167CT1G
Brand: Onsemi
SKU: 43108383
Price: 47.5 USD
Availability: InStock

A complementary Power MOSFET featuring both an N-Channel and a P-Channel device with a 30V drain-source voltage rating in a dual TSOP-6 package. ...

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Conforme RoHS

Certificat de conformité

DESCRIPTION

The NTGD4167CT1G is a complementary Power MOSFET that integrates both an N-Channel and a P-Channel transistor into a single, compact 3x3 mm TSOP-6 package. The N-Channel component features a maximum on-resistance (RDS(on)) of 90 mÎ© at a 4.5V gate voltage, while the P-Channel offers an RDS(on) of 170 mÎ© at -4.5V. This device utilizes leading-edge trench technology for low on-resistance and has reduced gate charge to improve switching response. With independently connected devices, it provides significant design flexibility for applications such as DC-DC conversion circuits and load/power switching with level shifting.

Points forts du produit:

Applications potentielles:

Mots-clés de recherche: NTGD4167CT1G

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fournisseur:

onsemi

Référence:

NTGD4167CT1G

Unité de mesure:

Par Each

RoHS:

Yes

HTS:

8541290095

COO:

ECCN:

EAR99

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