BSDH10G65E2
Silicon Carbide Shottky Barrier Diode - 10A - Vr: 650V - Vf: 1.45V - -55°C to 175°C - TO220-2
Conforme RoHS
TUBE Emballage
Certificat de conformité
DESCRIPTION
Silicon Carbide Shottky Barrier Diode - 10A - Vr: 650V - Vf: 1.45V - -55°C to 175°C - TO220-2
Mots-clés de recherche: BSDH10G65E2
SPÉCIFICATIONS
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Produits trouvés : 0
fournisseur:
Bourns
Référence:
BSDH10G65E2
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
Yes
HTS:
8541290095
COO:
CN
ECCN:
EAR99
Conditionnement standard du fournisseur:
3000
Type de boîtier:
TUBE
EN STOCK: 0
Quantité minimale de commande pour qté en rupture de stock: 750
DÉLAI DE L'USINE 18 Semaines
Prix (CAD)
QTÉ
Prix unitaire
750
$5.82
1 500
$3.09
2 250
$2.16
3 000
+
$2.13
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