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APT45GP120JDQ2 by microchip technology
Microchip Technology Distributeur agréé

APT45GP120JDQ2

The APT45GP120JDQ2 is a 1200V Punch-Through technology IGBT designed for high-frequency, high-voltage switching applications. ...

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Conforme RoHS
TUBE Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The APT45GP120JDQ2 is a POWER MOS 7® IGBT that utilizes Punch-Through technology for high-voltage power switching. It is rated for a collector-emitter voltage of 1200V and can handle a continuous collector current of 75A at a case temperature of 25°C, or 34A at 110°C. The device features a total power dissipation of 329W and a robust Reverse Bias Safe Operating Area (RBSOA) of 170A at 960V. With an operating junction temperature range of -55°C to 150°C and features like low conduction loss and ultrafast tail current shutoff, it ensures reliable performance. This IGBT is optimized for use in high-frequency switch-mode power supplies and other demanding switching applications.

Mots-clés de recherche: APT45GP120JDQ2

SPÉCIFICATIONS

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Produits trouvés : 0
fournisseur:
Microchip Technology
Référence:
APT45GP120JDQ2
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
Yes
HTS:
8541290095
COO:
PH
ECCN:
EAR99
Conditionnement standard du fournisseur: Ces informations sont fournies aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité d
1
Type de boîtier:
TUBE
Famille:
APT45GP120JDQ2
Dimension:
38.26996mm(Max) x 25.4(Max) x 9.6(Max)mm

EN STOCK: 21

Peut être expédié immédiatement

Stock du fabricant: 28   Peut expédier 8/28/26

DÉLAI DE L'USINE 20 Semaines Peut expédier 12/31/26  

Prix (USD)

QTÉ
Prix unitaire
1
$74.92
5
$52.62
10
$49.45
25
$46.85
50
$46.73
100
$46.62
250 +
$46.50

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