JANTX2N3019S
Bipolar (BJT) Transistor - NPN - 1A Ic - 80V Collector Emitter Breakdown (Max) - 800 mW - TO-39 Package - Through Hole.
DESCRIPTION
The JANTX2N3019S NPN leaded silicon transistor device is military qualified for high-reliability applications. Operating temperature range is from -65°C to 200°C (TJ).
Mots-clés de recherche: JANTX2N3019S
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