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Conditionnement alternatif
BSS138LT3G
BSS138LT3G

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BSS138LT1G by onsemi
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onsemi Revendeur agréé

BSS138LT1G

The BSS138LT1G is an N-Channel Power MOSFET rated for 50V and 200mA, housed in a compact SOT-23 surface-mount package. ...

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Conforme RoHS
REEL Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The BSS138LT1G is an N-Channel Power MOSFET designed for low-voltage applications. It features a maximum drain-to-source voltage of 50V and can handle a continuous drain current of 200mA. With a low gate-to-source threshold voltage between 0.85V and 1.5V, it is ideal for logic-level control. The device exhibits a typical static drain-to-source on-resistance of 3.5 Ω at a 5.0V gate voltage. Its miniature SOT-23 package makes it suitable for space-constrained applications such as DC-DC converters and power management in portable electronics like cellular phones, computers, and printers.

Mots-clés de recherche: BSS138LT1G

SPÉCIFICATIONS

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fournisseur:
onsemi
Référence:
BSS138LT1G
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
Yes
HTS:
8541290095
COO:
CZ
ECCN:
EAR99
Emballage en bobine: Ces informations sont destinées aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité de conditionnement standard du fabricant. Les quantités minimales et les multiples de commande requis sont indiqués avec le prix et la disponibilité.
3000
Type de boîtier:
REEL
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Prix (CAD)

QTÉ
Prix unitaire
3 000
$0.0652
6 000
$0.0644
12 000
$0.0637
27 000
$0.0623
51 000
$0.0622
102 000
$0.0620
150 000
$0.0619
252 000 +
$0.0617

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