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FDB52N20TM by onsemi
onsemi Revendeur agréé

FDB52N20TM

The FDB52N20TM is a 200 V, 52 A N-Channel UniFETâ„¢ MOSFET designed for high-voltage switching applications. ...

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Non-Compliant
REEL Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The FDB52N20TM is a high-voltage N-Channel UniFET™ MOSFET utilizing planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce on-state resistance, featuring a maximum RDS(on) of 49 mΩ at a gate-source voltage of 10 V. This device also provides superior switching performance, characterized by a low typical gate charge of 49 nC and a low reverse transfer capacitance (Crss) of 66 pF. Being 100% avalanche tested, this MOSFET is suitable for switching power converter applications such as PDP TV power supplies, lighting, uninterruptible power supplies, and AC-DC power supplies.

Mots-clés de recherche: FDB52N20TM

SPÉCIFICATIONS

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Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
FDB52N20TM
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
CZ
ECCN:
EAR99
Emballage en bobine: Ces informations sont destinées aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité de conditionnement standard du fabricant. Les quantités minimales et les multiples de commande requis sont indiqués avec le prix et la disponibilité.
800
Type de boîtier:
REEL

EN STOCK: 5 558

Peut être expédié immédiatement

Quantité minimale de commande: 25

DÉLAI DE L'USINE 13 Semaines

Prix (CAD)

QTÉ
Prix unitaire
25
$3.28
100
$1.98
250
$1.95
800
$1.92
1 600
$1.83
3 200
$1.80
5 600
$1.78
8 000 +
$1.77

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