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Équivalent ROHs
NTJD4401NT1G
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FDG1024NZ by onsemi
onsemi Revendeur agréé

FDG1024NZ

The FDG1024NZ is a 20 V, 1.2 A dual N-Channel PowerTrench® MOSFET housed in a compact SC70-6 package. ...

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Non-Compliant
Reel Emballage
ACCESSOIRES
Arrêté et remplacé
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The FDG1024NZ is a dual N-Channel logic level enhancement mode field-effect transistor produced using a high-density DMOS process. It features a low on-state resistance, with a maximum rDS(on) of 175 mΩ at a gate-source voltage of 4.5 V. With a very low gate threshold voltage (VGS(th) < 1 V), the device supports low-level gate drive requirements, enabling operation in 1.5 V circuits. Housed in a very small SC70-6 package, this MOSFET is designed for low-voltage applications as an efficient replacement for bipolar digital transistors and small-signal MOSFETs.

Mots-clés de recherche: FDG1024NZ

SPÉCIFICATIONS

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Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
FDG1024NZ
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
No
HTS:
8541210095
COO:
PH
ECCN:
EAR99
Emballage en bobine: Ces informations sont destinées aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité de conditionnement standard du fabricant. Les quantités minimales et les multiples de commande requis sont indiqués avec le prix et la disponibilité.
3000
Type de boîtier:
Reel
Cycle de vie :
Arrêté et remplacé
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