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FDMS86200 by onsemi
onsemi Revendeur agréé

FDMS86200

The FDMS86200 is a 150V N-Channel PowerTrench® MOSFET featuring Shielded Gate technology for high-efficiency applications. ...

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Non-Compliant
Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The FDMS86200 is an N-Channel MOSFET produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This device is optimized for low on-state resistance and superior switching performance, featuring a maximum rDS(on) of 18 mΩ at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum drain-to-source voltage rating of 150V and can handle a continuous drain current of up to 35A at a case temperature of 25°C. The combination of an advanced package and silicon results in high efficiency, making it well-suited for DC-DC conversion applications.

Mots-clés de recherche: FDMS86200

SPÉCIFICATIONS

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fournisseur:
onsemi
Référence:
FDMS86200
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
KR
ECCN:
EAR99
Conditionnement standard du fournisseur: Ces informations sont fournies aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité d
3000

EN STOCK: 3 340

Peut être expédié immédiatement

sur commande: 6 000   Peut expédier 1/5/28 

Quantité minimale de commande: 25

DÉLAI DE L'USINE 77 Semaines

Prix (USD)

QTÉ
Prix unitaire
25
$2.18
100
$1.14
250
$1.13
500
$1.05
1 000
$1.04
3 000
$1.03
6 000
$1.02
9 000 +
$1.01
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