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FDS89161LZ by onsemi
onsemi Revendeur agréé

FDS89161LZ

The FDS89161LZ is a dual N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET rated for 100 V, 2.7 A, and a maximum on-resistance of 105 mΩ. ...

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Conforme RoHS
REEL Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The FDS89161LZ is a dual N-Channel logic level MOSFET produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This device features a maximum on-state resistance (rDS(on)) of 105 mΩ at a gate-source voltage (VGS) of 10 V and 160 mΩ at a VGS of 4.5 V. It is rated for a drain-to-source voltage of 100 V and a continuous drain current of 2.7 A. The process is optimized to provide extremely low on-resistance while maintaining superior switching performance, and a G-S zener is included to enhance ESD protection. Due to its high power and current handling capabilities, it is well-suited for DC-DC conversion applications.

Mots-clés de recherche: FDS89161LZ

SPÉCIFICATIONS

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Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
FDS89161LZ
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
Yes
HTS:
8541290095
COO:
KR
ECCN:
EAR99
Emballage en bobine: Ces informations sont destinées aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité de conditionnement standard du fabricant. Les quantités minimales et les multiples de commande requis sont indiqués avec le prix et la disponibilité.
2500
Type de boîtier:
REEL

EN STOCK: 1 380

Peut être expédié immédiatement

sur commande: 2 500   Peut expédier 2/9/28 

Quantité minimale de commande: 50

DÉLAI DE L'USINE 72 Semaines

Prix (CAD)

QTÉ
Prix unitaire
50
$1.690
250
$1.566
500
$1.259
1 000
$1.246
2 500
$1.243
5 000
$1.240
7 500
$1.237
10 000 +
$1.234

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