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FDT86113LZ by onsemi
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FDT86113LZ

The FDT86113LZ is an N-Channel PowerTrench® MOSFET rated for 100V drain-to-source voltage and 3.3A continuous drain current. ...

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Non-Compliant
Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The FDT86113LZ is an N-Channel logic-level MOSFET produced using an advanced PowerTrench® process to minimize on-state resistance while maintaining superior switching performance. This device features a maximum on-resistance (rDS(on)) of 100 mΩ at a VGS of 10V and is rated for a drain-to-source voltage of 100V with a continuous drain current of 3.3A. It incorporates a Gate-to-Source zener diode for enhanced ESD protection and is 100% UIL tested. Housed in a surface-mount SOT-223 package, this MOSFET is optimized for high power and current handling, making it ideal for DC-DC switching applications.

Mots-clés de recherche: FDT86113LZ

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fournisseur:
onsemi
Référence:
FDT86113LZ
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
KR
ECCN:
EAR99
Conditionnement standard du fournisseur: Ces informations sont fournies aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité d
4000

EN STOCK: 18 945

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Quantité minimale de commande: 50

DÉLAI DE L'USINE 19 Semaines

Prix (USD)

QTÉ
Prix unitaire
50
$0.8248
500
$0.4268
1 000
$0.4185
4 000
$0.4102
8 000
$0.3827
12 000
$0.3818
16 000
$0.3808
28 000 +
$0.3799

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