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FQB12P20TM by onsemi
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FQB12P20TM

The FQB12P20TM is a -200V P-Channel enhancement mode MOSFET designed for high-efficiency switching applications. ...

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Non-Compliant
REEL Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The FQB12P20TM is a P-Channel enhancement mode power MOSFET produced using a proprietary planar stripe, DMOS technology. It is characterized by a drain-source voltage of -200V, a continuous drain current of -11.5A, and a low on-state resistance of 0.47Ω at a -10V gate-source voltage. This device offers superior switching performance with a low typical gate charge of 31 nC and a low reverse transfer capacitance of 30 pF. It is 100% avalanche tested and features improved dv/dt capability for robust operation. These characteristics make the FQB12P20TM well-suited for high-efficiency switching DC/DC converters.

Mots-clés de recherche: FQB12P20TM

SPÉCIFICATIONS

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Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
FQB12P20TM
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
CZ
ECCN:
EAR99
Emballage en bobine: Ces informations sont destinées aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité de conditionnement standard du fabricant. Les quantités minimales et les multiples de commande requis sont indiqués avec le prix et la disponibilité.
800
Type de boîtier:
REEL

EN STOCK: 1 890

Peut être expédié immédiatement

Quantité minimale de commande: 25

DÉLAI DE L'USINE 10 Semaines

Prix (CAD)

QTÉ
Prix unitaire
25
$2.541
250
$1.865
800
$1.520
1 600
$1.516
3 200
$1.513
5 600
$1.508
8 000
$1.505
10 400 +
$1.501

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