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H11G2SR2M by onsemi
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H11G2SR2M

The H11G2SR2M is a high-voltage, photodarlington-type optically coupled optocoupler designed for electrical isolation and high sensitivity. ...

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Conforme RoHS
REEL Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The H11G2SR2M is a photodarlington-type optocoupler, which integrates a gallium arsenide infrared emitting diode with a silicon darlington phototransistor. It features a high collector-emitter breakdown voltage of at least 80V and offers high sensitivity with a minimum current transfer ratio (CTR) of 500% at a low input current of 1mA. This device maintains low leakage current, not exceeding 100µA at 60V and an elevated temperature of 80°C, and has a maximum saturation voltage of 1.0V. It is well-suited for applications such as CMOS logic interfacing, telephone ring detection, low input TTL interfacing, and power supply isolation.

Mots-clés de recherche: H11G2SR2M

SPÉCIFICATIONS

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Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
H11G2SR2M
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
Yes
HTS:
8541498000
COO:
TH
ECCN:
EAR99
Emballage en bobine: Ces informations sont destinées aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité de conditionnement standard du fabricant. Les quantités minimales et les multiples de commande requis sont indiqués avec le prix et la disponibilité.
1000
Type de boîtier:
REEL

EN STOCK: 1 850

Peut être expédié immédiatement

sur commande: 7 000   Peut expédier 1/8/27 

Quantité minimale de commande: 50

DÉLAI DE L'USINE 24 Semaines

Prix (CAD)

QTÉ
Prix unitaire
50
$1.1708
500
$0.8029
1 000
$0.7415
3 000
$0.7341
5 000
$0.7323
8 000
$0.7305
10 000
$0.7287
15 000 +
$0.7269
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