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MJD112T4G by onsemi
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MJD112T4G

2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

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Non-Compliant
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2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Mots-clés de recherche: MJD112T4G

SPÉCIFICATIONS

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fournisseur:
onsemi
Référence:
MJD112T4G
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
MY
ECCN:
EAR99
Conditionnement standard du fournisseur: Ces informations sont fournies aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité d
2500

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Prix (USD)

QTÉ
Prix unitaire
100
$0.3328
500
$0.2226
2 500
$0.2161
5 000
$0.2156
7 500
$0.2110
25 000
$0.2105
50 000 +
$0.2100
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