MJD127T4G by onsemi
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MJD127T4G

onsemi

8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

Fiche technique
Non-Compliant
Emballage
ACCESSOIRES
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DESCRIPTION

8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

Search Keywords: MJD127T4G

SPÉCIFICATION

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Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
MJD127T4G
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
MY
ECCN:
EAR99
Référence: This information is provided for customers who prefer to buy in multiples of the Manufacturer’s Standard Package quantity. Minimum Order Quantities and Required Order Multiples are presented with our price and availability information.
2500
Tension collecteur-émetteur maximale:
100 V
Tension collecteur-base maximale:
100 V
Famille:
MJD127
Tension de saturation base-émetteur maximale:
4.5@80mA@8A V
Dimension:
6.73(Max) x 6.22(Max) x 2.38(Max) mm
Tension de saturation collecteur-émetteur maximale:
2@16mA@4A,4@80mA@8A V

EN STOCK: 1,740

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Prix (USD)

QTÉ
Prix unitaire
100
$0.5992
500
$0.4229
1 000
$0.3994
2 500
$0.3863
5 000
$0.3557
7 500
$0.3415
10 000
$0.3301
15 000 +
$0.3000
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