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MJD44H11T4G by onsemi
onsemi Revendeur agréé

MJD44H11T4G

The MJD44H11T4G is an NPN silicon power transistor rated for 80V and 8A, designed for general purpose power and switching applications. ...

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Non-Compliant
REEL Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The MJD44H11T4G is an NPN power transistor designed for general-purpose power and switching applications such as output or driver stages. It supports a collector-emitter voltage of 80V and a continuous collector current of 8A. This device features a low collector-emitter saturation voltage of 1.0V maximum at 8A and a minimum DC current gain (hFE) of 40 at a collector current of 4A. With a typical gain-bandwidth product of 50 MHz and fast switching speeds, it is optimized for efficient performance. Housed in a surface-mount DPAK package, the MJD44H11T4G is ideal for use in switching regulators, converters, and power amplifiers.

Mots-clés de recherche: MJD44H11T4G

SPÉCIFICATIONS

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Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
MJD44H11T4G
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
MY
ECCN:
EAR99
Emballage en bobine: Ces informations sont destinées aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité de conditionnement standard du fabricant. Les quantités minimales et les multiples de commande requis sont indiqués avec le prix et la disponibilité.
2500
Type de boîtier:
REEL
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EN STOCK: 33 800

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sur commande: 30 000   Peut expédier 8/11/27 

Quantité minimale de commande: 100

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Prix (CAD)

QTÉ
Prix unitaire
100
$0.7582
500
$0.4540
2 500
$0.4180
5 000
$0.4169
7 500
$0.4160
25 000
$0.4149
50 000 +
$0.4139

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