MMBT5089LT1G

Name: MMBT5089LT1G
Brand: Onsemi
SKU: 12091258
Price: 134.4 CAD
Availability: InStock

NPN Bipolar Transistor ...

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Conforme RoHS

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DESCRIPTION

The ONSEMI MMBT5089LT1G is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) renowned for its excellent gain characteristics and robust performance in a compact package. Ideal for a wide range of electronic applications, this transistor is designed to amplify or switch electronic signals with efficiency and reliability. It features a maximum collector current of 100mA and a collector-emitter voltage of 30V, making it suitable for a variety of low to medium current and voltage applications. The MMBT5089LT1G is housed in a space-saving SOT-23 package, which makes it perfect for modern electronic designs that require efficient use of board space. It is widely used in amplification circuits, switching applications, and in the creation of oscillators and multivibrators. With ONSEMI's commitment to quality and performance, this transistor ensures consistent results across different use cases.

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Applications potentielles:

Mots-clés de recherche: MMBT5089LT1G

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Produits trouvés : 0

fournisseur:

onsemi

Référence:

MMBT5089LT1G

Unité de mesure:

Par Each

RoHS:

Yes

HTS:

8541210095

COO:

ECCN:

EAR99

Emballage en bobine: Ces informations sont destinées aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité de conditionnement standard du fabricant. Les quantités minimales et les multiples de commande requis sont indiqués avec le prix et la disponibilité.

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3000

Type de boîtier:

REEL

Famille:

MMBT5089L

Dimension:

2.9 x 1.3 x 0.94 mm

Tension collecteur-base maximale:

30 V

EN STOCK: 621 000

Peut être expédié immédiatement

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