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NCV57001DWR2G by onsemi
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NCV57001DWR2G

SiC/MOSFET/IGBT Gate Driver, Isolated High Current and High Efficiency, with Internal Galvanic Isolation

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SiC/MOSFET/IGBT Gate Driver, Isolated High Current and High Efficiency, with Internal Galvanic Isolation

Mots-clés de recherche: NCV57001DWR2G

SPÉCIFICATIONS

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fournisseur:
onsemi
Référence:
NCV57001DWR2G
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
Yes
HTS:
8542390070
COO:
US
ECCN:
EAR99
Conditionnement standard du fournisseur: Ces informations sont fournies aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité d
1000

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$3.28
750
$2.60
1 000 +
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