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NDT452AP by onsemi
onsemi Revendeur agréé

NDT452AP

The NDT452AP is a P-Channel enhancement mode power field-effect transistor rated for -30V drain-source voltage and -5A continuous drain current. ...

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Non-Compliant
REEL Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The NDT452AP is a P-Channel enhancement mode power field-effect transistor produced using a high cell density DMOS technology to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. It features a drain-source voltage (VDSS) of -30V, a continuous drain current (ID) of -5A, and a low on-state resistance (RDS(ON)) of 0.065 Ω at a gate-source voltage of -10V. The device can handle pulsed drain currents up to -15A and operates over a wide temperature range of -65°C to 150°C. Housed in a SOT-223 surface-mount package, this transistor is particularly suited for low-voltage applications such as notebook computer power management and DC motor control.

Mots-clés de recherche: NDT452AP

SPÉCIFICATIONS

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Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
NDT452AP
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
No
HTS:
8541210095
COO:
KR
ECCN:
EAR99
Emballage en bobine: Ces informations sont destinées aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité de conditionnement standard du fabricant. Les quantités minimales et les multiples de commande requis sont indiqués avec le prix et la disponibilité.
4000
Type de boîtier:
REEL

EN STOCK: 5 649

Peut être expédié immédiatement

sur commande: 4 000   Peut expédier 10/26/26 

Quantité minimale de commande: 50

DÉLAI DE L'USINE 18 Semaines

Prix (CAD)

QTÉ
Prix unitaire
50
$1.1227
500
$0.7937
1 000
$0.7361
4 000
$0.6111
8 000
$0.6095
12 000
$0.6080
16 000
$0.6066
28 000 +
$0.6049

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