NXH004P120M3F2PTNG
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package
DESCRIPTION
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package
Mots-clés de recherche: NXH004P120M3F2PTNG
SPÉCIFICATIONS
EN STOCK: 0
Stock du fabricant: 11 160 Peut expédier 10/26/26
Quantité minimale de commande pour qté en rupture de stock: 5
DÉLAI DE L'USINE 10 Semaines Peut expédier 12/21/26
English
Français
