help desk software
NXH004P120M3F2PTNG by onsemi
onsemi Revendeur agréé

NXH004P120M3F2PTNG

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package

Voir la fiche technique Interroger la fiche technique
Conforme RoHS
TRAY Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package

Mots-clés de recherche: NXH004P120M3F2PTNG

SPÉCIFICATIONS

Attribut du produit
Valeur de l'attribut
Sélectionner un attribut
Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
NXH004P120M3F2PTNG
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
Yes
HTS:
8541290095
COO:
KR
ECCN:
EAR99
Conditionnement standard du fournisseur: Ces informations sont fournies aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité d
20
Type de boîtier:
TRAY

EN STOCK: 0

Stock du fabricant: 11 160   Peut expédier 10/26/26

Quantité minimale de commande pour qté en rupture de stock: 5

DÉLAI DE L'USINE 10 Semaines Peut expédier 12/21/26  

Prix (CAD)

QTÉ
Prix unitaire
5
$795.97
10
$421.39
15
$296.53
20 +
$290.62

Outils/Modèles 3D