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OP216A
Hermetic Infrared Emitting Diode - 100mA If - 1.8V Vf - 1.2mW/cm² @ 50mA Radiant Intensity - 890nm - 24° Viewing Angle - Top View - Through Hole. ...
DESCRIPTION
The OP216A is an 890 nm gallium aluminum arsenide infrared emitting diode (GaAIAs), mounted in a hermetically sealed “pig tale” package with an enhanced temperature range and a narrow irradiance pattern that provides high on-axis intensity for excellent coupling efficiency. These devices offer significantly higher power output than GaAs at equivalent drive currents and have a wavelength that is matched to silicon’s peak response. Their small package size permits high device density mounting.
Mots-clés de recherche: OP216A
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