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NDS331N by onsemi
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NDS331N

The NDS331N is an N-Channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor (FET) featuring a 20V drain-source voltage and 1.3A continuous drain current. ...

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DESCRIPTION

The NDS331N is an N-Channel logic level enhancement mode power FET designed with high-density DMOS technology to minimize on-state resistance. It operates with a drain-source voltage of 20V, a continuous gate-source voltage of 8V, and handles a continuous drain current of 1.3A. Key features include a low on-state resistance (RDS(ON)) of 0.16 Ω at VGS=4.5V and 0.21 Ω at VGS=2.7V. Housed in a SOT-23 surface-mount package, this transistor is ideal for low-voltage applications such as notebook computers, portable phones, and other battery-powered circuits requiring fast switching and low power loss.

Mots-clés de recherche: NDS331N

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fournisseur:
onsemi
Référence:
NDS331N
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
Yes
HTS:
8541210095
COO:
KR
ECCN:
EAR99
Conditionnement standard du fournisseur: Ces informations sont fournies aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité d
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Prix (CAD)

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$0.2021
9 000
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12 000
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