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2N5686G by onsemi
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onsemi Revendeur agréé

2N5686G

The 2N5686G is an NPN high-current silicon power transistor designed for high-power amplifier and switching applications. ...

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Non-Compliant
Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The 2N5686G is an NPN high-current silicon power transistor designed for use in high-power amplifier and switching circuit applications. It features a high continuous collector current capability of 50 Amperes and a collector-emitter voltage rating of 80 Vdc. The transistor provides a DC current gain (hFE) ranging from 15 to 60 at a collector current of 25 Adc, coupled with a low collector-emitter saturation voltage of 1.0 Vdc maximum under the same conditions. With a total power dissipation of 300 W, its robust characteristics make it ideal for demanding power amplification and switching circuits.

Mots-clés de recherche: 2N5686G

SPÉCIFICATIONS

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Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
2N5686G
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
MY
ECCN:
EAR99
Conditionnement standard du fournisseur: Ces informations sont fournies aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité d
100
Dimension:
38.86 x 26.67(Max) x 8.51(Max) mm
Famille:
2N5686
Tension collecteur-base maximale:
80 V

EN STOCK: 100

Peut être expédié immédiatement

Stock du fabricant: 100   Peut expédier 8/21/26

sur commande: 100   Peut expédier 2/10/28 

Quantité minimale de commande: 5

DÉLAI DE L'USINE 79 Semaines Peut expédier 2/10/28  

Prix (USD)

QTÉ
Prix unitaire
5
$17.16
25
$14.17
50
$14.07
100
$10.96
300
$10.94
500
$10.91
1 000 +
$10.88
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