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MJ21196G by onsemi
onsemi Revendeur agréé

MJ21196G

The MJ21196G is an NPN silicon power transistor designed for high-power audio output, disk head positioners, and linear applications. ...

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Non-Compliant
TRAY Emballage
ACCESSOIRES
Certificat de conformité

DESCRIPTION

The MJ21196G is an NPN silicon power transistor that utilizes Perforated Emitter technology for high-power applications. It is rated for a collector-emitter voltage of 250 V and a continuous collector current of 16 A, with a total power dissipation capacity of 250 W. This device features a high DC current gain with a minimum hFE of 25 at an 8 A collector current, ensuring excellent gain linearity and low total harmonic distortion. Due to its high Safe Operating Area (SOA) and robust design, the MJ21196G is ideal for high-fidelity audio amplifiers, disk head positioners, and other demanding linear circuits.

Mots-clés de recherche: MJ21196G

SPÉCIFICATIONS

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Produits trouvés : 0
fournisseur:
onsemi
Référence:
MJ21196G
Unité de mesure:
Par Each
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
MY
ECCN:
EAR99
Conditionnement standard du fournisseur: Ces informations sont fournies aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité d
100
Type de boîtier:
TRAY

EN STOCK: 1 501

Peut être expédié immédiatement

sur commande: 300   Peut expédier 11/2/26 

Quantité minimale de commande: 5

DÉLAI DE L'USINE 37 Semaines

Prix (CAD)

QTÉ
Prix unitaire
5
$12.36
25
$9.17
100
$7.65
300
$7.64
500
$7.61
1 000
$7.59
2 500
$7.58
5 000 +
$7.56
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